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本發(fā)明涉及傳感器制造，更具體地，涉及一種振膜、振動(dòng)傳感器及電子設(shè)備。、現(xiàn)有技術(shù)的傳感器，振膜實(shí)現(xiàn)超疏水性能，通常采用含氟量較大的材料作為疏水層，含氟量較大的材料對(duì)環(huán)境污染較大。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種振膜、振動(dòng)傳感器及電子設(shè)備的新技術(shù)方案，至少能夠解決現(xiàn)有技術(shù)中采用含氟量較...

本發(fā)明涉及一種微機(jī)械(mems)振動(dòng)元件以及一種用于運(yùn)行mems振動(dòng)元件的方法。尤其地，本發(fā)明涉及一種慣性傳感器以及一種運(yùn)行慣性傳感器的方法。、微機(jī)械(mems)振動(dòng)元件在汽車和消費(fèi)領(lǐng)域的各種應(yīng)用中進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)，通常作為用于測(cè)量加速度、轉(zhuǎn)速或壓力變化的傳感器。此類傳感器的傳感器原理在很多...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，具體而言涉及一種mems器件及其制造方法、電子裝置。、mems(micro-electro-mechanical?system，微機(jī)電系統(tǒng))是指一種將機(jī)械構(gòu)件、驅(qū)動(dòng)部件、光學(xué)系統(tǒng)、電控系統(tǒng)集成為一個(gè)整體的微型系統(tǒng)。mems器件具有體積小、功耗低等優(yōu)勢(shì)，在智能手機(jī)、平板電腦...

本發(fā)明涉及光刻，尤其涉及一種基于表面能修復(fù)的微納器件光刻工藝及微納器件。、在半導(dǎo)體或mems（微機(jī)電系統(tǒng)）器件的制造工藝中，等離子體清洗（尤其是氧氣等離子體）被廣泛應(yīng)用于去除基底表面的有機(jī)污染物和增強(qiáng)基底的表面親水性；然而，等離子體中的活性粒子會(huì)使半導(dǎo)體、金屬等基底材料的表面產(chǎn)生一層疏松、...

本發(fā)明涉及一種用于產(chǎn)生流體脈沖的微電子機(jī)械裝置。本發(fā)明還涉及一種微電子機(jī)械揚(yáng)聲器以及一種用于制造產(chǎn)生流體脈沖的微電子機(jī)械裝置的方法。、現(xiàn)有技術(shù)中已知用于產(chǎn)生流體脈沖的微電子機(jī)械裝置、其制造方法以及微電子機(jī)械揚(yáng)聲器。微電子機(jī)械系統(tǒng)也簡(jiǎn)稱為mems。、wo?/a涉及一種mems轉(zhuǎn)換器，其包括可...

本申請(qǐng)涉及芯片，具體地涉及一種封裝器件、電子設(shè)備及交通工具。、mems慣性器件是用于車輛智能駕駛、慣性導(dǎo)航、底盤(pán)控制、碰撞檢測(cè)等領(lǐng)域的關(guān)鍵芯片。mems慣性器件中的芯片用于實(shí)現(xiàn)對(duì)外界運(yùn)動(dòng)信息的檢測(cè)，其中，芯片具有非常高的靈敏度和精密度，對(duì)環(huán)境應(yīng)力非常敏感。因此，當(dāng)芯片受到外界應(yīng)力作用而發(fā)生...

本發(fā)明屬于微納結(jié)構(gòu)加工，具體涉及一種高縱寬比非對(duì)稱柔性微脊陣列制造方法及其應(yīng)用。、微納結(jié)構(gòu)加工技術(shù)是實(shí)現(xiàn)高精度結(jié)構(gòu)和功能器件制造的關(guān)鍵工藝，廣泛應(yīng)用于光學(xué)元件、微流控芯片、柔性電子、以及能源器件等領(lǐng)域。隨著器件向高性能、多功能和小型化發(fā)展，微納結(jié)構(gòu)的幾何精度、形貌復(fù)雜度以及加工靈活性提出了...

本技術(shù)涉及一種本技術(shù)涉及集成電路，且尤其是有涉及一種微機(jī)電系統(tǒng)(micro-electro?mechanical?systems，mems)裝置。、微機(jī)電系統(tǒng)(mems)是一種在晶圓襯底上采用微型機(jī)械及機(jī)電組件(例如，裝置或結(jié)構(gòu))的技術(shù)。利用微制造技術(shù)，mems裝置所涵蓋的范圍可自無(wú)移動(dòng)組...

本技術(shù)涉及片上微系統(tǒng)真空封裝，尤其涉及一種片上微系統(tǒng)的真空封裝設(shè)備、真空封裝的片上微系統(tǒng)。、片上微系統(tǒng)(system?on?chip)的類型包括微機(jī)電系統(tǒng)(micro-electro-mechanical?system,mems)(如mems陀螺儀、mems加速度計(jì)等)、微型熱輻射成像儀和...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，具體而言涉及一種mems器件及其制造方法、電子裝置。、mems(micro-electro-mechanical?system，微機(jī)電系統(tǒng))是指一種將機(jī)械構(gòu)件、驅(qū)動(dòng)部件、光學(xué)系統(tǒng)、電控系統(tǒng)集成為一個(gè)整體的微型系統(tǒng)。mems加速度傳感器自問(wèn)世以來(lái)，以其體積小、成本低、可靠性...

本技術(shù)涉及半導(dǎo)體封裝，尤其涉及一種封裝裝置及電子設(shè)備。、mems(micro-electro-mechanical?system，微機(jī)電系統(tǒng))由于其具有小型化、高精度、高靈敏度、低功耗、易于批量化生產(chǎn)等特點(diǎn)，廣泛用于消費(fèi)電子、汽車工業(yè)、航空航天、生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域的壓力測(cè)量，成為應(yīng)用領(lǐng)域最多的...

本發(fā)明屬于納米能源領(lǐng)域，具體涉及一種基于紙翻花可重構(gòu)結(jié)構(gòu)的紙基雙功能器件及其制備方法與使用方法。、近幾十年來(lái)，在能源危機(jī)和碳排放日漸嚴(yán)峻的形式下，對(duì)發(fā)展綠色可再生能源以減少碳排放是人類文明可持續(xù)發(fā)展的迫切要求。在宏觀能源方面，水力發(fā)電、風(fēng)能、太陽(yáng)能和潮汐能等可再生能源在滿足日益增長(zhǎng)的可持續(xù)...

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體，尤其涉及一種非制冷紅外焦平面探測(cè)器及其制備方法。、非制冷紅外焦平面探測(cè)器是一種能夠在常溫下工作的紅外探測(cè)器，其不需要復(fù)雜的冷卻系統(tǒng)來(lái)降低熱噪聲，因此具有更高的便攜性和操作簡(jiǎn)便性。它的主要組成部分包括熱敏材料(通常為氧化釩(vox)或非晶硅(a-si))、微機(jī)械結(jié)構(gòu)、讀出電...

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體制造及微機(jī)電系統(tǒng)，具體涉及一種硅襯底上空腔表面處理的方法。、在半導(dǎo)體和微機(jī)電系統(tǒng)（mems,micro-electro-mechanical?system）器件制造中，硅襯底內(nèi)的均勻空腔結(jié)構(gòu)是實(shí)現(xiàn)器件輕量化、低寄生電容、高絕緣性的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)之一，廣泛應(yīng)用于射頻開(kāi)關(guān)、微諧振器、...

本技術(shù)屬于微機(jī)電系統(tǒng)，具體涉及一種cob封裝差壓傳感器模塊。、壓差傳感器是一種用來(lái)測(cè)量?jī)蓚€(gè)壓力之間差值的傳感器，通常用于測(cè)量某一設(shè)備或部件前后兩端的壓差。、申請(qǐng)?zhí)枮椤?”，專利名稱為“一種壓差傳感器封裝結(jié)構(gòu)”的實(shí)用新型專利；申請(qǐng)?zhí)枮椤?”，專利名稱為“防水壓差傳感器”的實(shí)用新型專利；申請(qǐng)?zhí)?..

本技術(shù)涉及材料表面微結(jié)構(gòu)制備，尤其涉及一種多級(jí)t型微結(jié)構(gòu)陣列。、在自然界中，彈尾目蟲(chóng)、壁虎、豬籠草等動(dòng)植物表面存在凹角結(jié)構(gòu)（也就是t型微結(jié)構(gòu)）能實(shí)現(xiàn)超疏水的功能。在過(guò)去的幾十年中，大量具有可控潤(rùn)濕性的仿生t型微結(jié)構(gòu)已經(jīng)被開(kāi)發(fā)用于實(shí)際應(yīng)用，如自清潔窗戶、減阻、醫(yī)療器械的表面處理、防水衣物和紡...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體部件的制造方法，尤其是涉及一種金屬結(jié)構(gòu)的制造方法。、在mems制造構(gòu)成的金屬結(jié)構(gòu)中，常常存在底切（undercut）問(wèn)題。底切會(huì)從根本上影響機(jī)械性能，引入電學(xué)性能的不確定性和風(fēng)險(xiǎn)，并使得后續(xù)工藝難以進(jìn)行，最終導(dǎo)致器件失效或壽命縮短。、因此，解決底切問(wèn)題是金屬結(jié)構(gòu)制造過(guò)程中的...

所公開(kāi)的技術(shù)整體涉及用于解決電氣過(guò)載的設(shè)備，并且更具體地涉及用于檢測(cè)、監(jiān)測(cè)和/或保護(hù)免受半導(dǎo)體設(shè)備及電路中的電氣過(guò)載事件影響的設(shè)備。、某些電子系統(tǒng)可能暴露于電氣過(guò)載（eos）事件。由于電子設(shè)備經(jīng)歷的電流和/或電壓超出了電子設(shè)備的指定極限，此種事件可導(dǎo)致對(duì)電子設(shè)備的損壞。例如，電子設(shè)備可能經(jīng)...

本發(fā)明涉及mems芯片封裝結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體工藝，尤其涉及一種基于壓電疊層結(jié)構(gòu)的mems芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法。、在半導(dǎo)體工藝，特別是微機(jī)電系統(tǒng)的制造中，壓電疊層結(jié)構(gòu)因其優(yōu)異的性能而得到廣泛應(yīng)用?，F(xiàn)有技術(shù)中，常采用玻璃作為基底材料，這主要是由于其具有較高的平整度。這種高平整度非常有利于...

本發(fā)明涉及一種用于制造微機(jī)電裝置的方法和一種微機(jī)電裝置。、由現(xiàn)有技術(shù)已知微機(jī)電裝置、也稱mems裝置和其制造方法。、us????b公開(kāi)了一種微機(jī)電裝置和其制造方法。該裝置由半導(dǎo)體材料構(gòu)成并且具有帶有多個(gè)腔室的傳感器區(qū)域。具有腔室進(jìn)入口的罩晶圓覆蓋所述傳感器區(qū)域。、us????b描述了一種m...